casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4010YMA-200
Número de pieza del fabricante | BQ4010YMA-200 |
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Número de parte futuro | FT-BQ4010YMA-200 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4010YMA-200 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 200ns |
Tiempo de acceso | 200ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-200 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4010YMA-200-FT |
W632GU6KB15I
Winbond Electronics
W632GU6KB15I TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-11 TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-12
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W632GG6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-11
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W631GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-12
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W631GU6MB-12
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W631GG6MB-12 TR
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M2GL025-FCSG325I
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M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel