casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4010MA-85
Número de pieza del fabricante | BQ4010MA-85 |
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Número de parte futuro | FT-BQ4010MA-85 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4010MA-85 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 85ns |
Tiempo de acceso | 85ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010MA-85 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4010MA-85-FT |
W632GU6KB12I
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W632GU6KB12I TR
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W632GU6KB12J
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W631GG6MB-11 TR
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W631GG6MB-12
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W632GG6MB-12
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W631GG6MB-11
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A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
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XC3S200AN-4FTG256C
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XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
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Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
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