casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / BQ4010MA-150
Número de pieza del fabricante | BQ4010MA-150 |
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Número de parte futuro | FT-BQ4010MA-150 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BQ4010MA-150 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 64Kb (8K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 150ns |
Tiempo de acceso | 150ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.75V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010MA-150 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BQ4010MA-150-FT |
W632GU6KB-15
Winbond Electronics
W632GU6KB-15 TR
Winbond Electronics
W632GU6KB11I
Winbond Electronics
W632GU6KB12I
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W632GU6KB12I TR
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W632GU6KB12J
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W632GU6KB15I
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W632GU6KB15I TR
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W631GG6MB-11 TR
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W631GG6MB-12
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XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
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A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation