casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / BLP27M810Z
Número de pieza del fabricante | BLP27M810Z |
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Número de parte futuro | FT-BLP27M810Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLP27M810Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS (Dual), Common Source |
Frecuencia | 2.14GHz |
Ganancia | 17dB |
Voltaje - prueba | 28V |
Valoración actual | - |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 110mA |
Salida de potencia | 2W |
Tensión nominal | 65V |
Paquete / Caja | 16-VDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-HVSON (6x4) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP27M810Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BLP27M810Z-FT |
PTFB211501FV1R250XTMA1
Infineon Technologies
A2I08H040GNR1
NXP USA Inc.
A2I20H060GNR1
NXP USA Inc.
A2I08H040NR1
NXP USA Inc.
A2I20H060NR1
NXP USA Inc.
A2I25D025NR1
NXP USA Inc.
A2I25H060NR1
NXP USA Inc.
AFIC31025NR1
NXP USA Inc.
AFV121KGSR5
NXP USA Inc.
AFV141KGSR5
NXP USA Inc.
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
XC4010XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX40-10FFG1148I
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4N
Intel
EP3C120F780C7N
Intel
EP4CE40F29I7
Intel
EP1S30F780I6N
Intel