casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / BLP10H660PY
Número de pieza del fabricante | BLP10H660PY |
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Número de parte futuro | FT-BLP10H660PY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLP10H660PY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 1GHz |
Ganancia | 18dB |
Voltaje - prueba | 50V |
Valoración actual | 1.4µA |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 40mA |
Salida de potencia | 60W |
Tensión nominal | 110V |
Paquete / Caja | SOT-1223-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-HSOPF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP10H660PY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BLP10H660PY-FT |
A2T20H330W24NR6
NXP USA Inc.
A2T21H100-25SR3
NXP USA Inc.
A2T21H140-24SR3
NXP USA Inc.
A2T21H360-23NR6
NXP USA Inc.
A2T21H450W19SR6
NXP USA Inc.
A2T21S160-12SR3
NXP USA Inc.
A2T21S161W12SR3
NXP USA Inc.
A2T21S260-12SR3
NXP USA Inc.
A2T21S260W12NR3
NXP USA Inc.
A2T23H160-24SR3
NXP USA Inc.
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-1FG144I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
A14V25A-VQG100C
Microsemi Corporation
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29I8LN
Intel