casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - RF / BLP10H630PGY
Número de pieza del fabricante | BLP10H630PGY |
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Número de parte futuro | FT-BLP10H630PGY |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BLP10H630PGY Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | LDMOS |
Frecuencia | 1GHz |
Ganancia | 18dB |
Voltaje - prueba | 50V |
Valoración actual | 1.4µA |
Figura de ruido | - |
Corriente - Prueba | 20mA |
Salida de potencia | 30W |
Tensión nominal | 110V |
Paquete / Caja | SOT-1224-2 |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-HSOPF |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP10H630PGY Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BLP10H630PGY-FT |
BF1101,215
NXP USA Inc.
BF1105,215
NXP USA Inc.
BF1108,215
NXP USA Inc.
BF1201,215
NXP USA Inc.
BF1202,215
NXP USA Inc.
BF1211,215
NXP USA Inc.
BF1212,215
NXP USA Inc.
BF2030E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF904,215
NXP USA Inc.
BF904A,215
NXP USA Inc.
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC4006E-4PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX415T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel