casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFR843EL3E6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BFR843EL3E6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BFR843EL3E6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
BFR843EL3E6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 2.6V |
Frecuencia - Transición | - |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | - |
Ganancia | 25.5dB |
Potencia - max | 125mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 55mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 3-XFDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSLP-3-10 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR843EL3E6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BFR843EL3E6327XTSA1-FT |
BFS540,115
NXP USA Inc.
BFT92W,115
NXP USA Inc.
BFT93W,115
NXP USA Inc.
PRF947,115
NXP USA Inc.
PRF957,115
NXP USA Inc.
BFR505T,115
NXP USA Inc.
BFR520T,115
NXP USA Inc.
PRF949,115
NXP USA Inc.
BFU730LXZ
NXP USA Inc.
BFT25A,215
NXP USA Inc.
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel