casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFR 360L3 E6327
Número de pieza del fabricante | BFR 360L3 E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BFR 360L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFR 360L3 E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 9V |
Frecuencia - Transición | 14GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
Ganancia | 11.5dB ~ 16dB |
Potencia - max | 210mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 15mA, 3V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 35mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-101, SOT-883 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TSLP-3-1 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 360L3 E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BFR 360L3 E6327-FT |
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
BFR94AW,115
NXP USA Inc.
BFS17W,115
NXP USA Inc.
BFS17W,135
NXP USA Inc.
BFS505,115
NXP USA Inc.
BFS520,115
NXP USA Inc.
BFS520,135
NXP USA Inc.
BFS540,115
NXP USA Inc.
BFT92W,115
NXP USA Inc.
BFT93W,115
NXP USA Inc.
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel