casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFR 181T E6327
Número de pieza del fabricante | BFR 181T E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BFR 181T E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFR 181T E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 12V |
Frecuencia - Transición | 8GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Ganancia | 19.5dB |
Potencia - max | 175mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 8V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 20mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-75, SOT-416 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SC-75 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 181T E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BFR 181T E6327-FT |
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
MS1649
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel