casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFP640FH6327XTSA1
Número de pieza del fabricante | BFP640FH6327XTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BFP640FH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFP640FH6327XTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 4.5V |
Frecuencia - Transición | 40GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
Ganancia | 23dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-TSFP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP640FH6327XTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BFP640FH6327XTSA1-FT |
BFG541,115
NXP USA Inc.
BFG94,115
NXP USA Inc.
BFG97,115
NXP USA Inc.
BFG97,135
NXP USA Inc.
BLT50,115
NXP USA Inc.
BLT70,115
NXP USA Inc.
BLT80,115
NXP USA Inc.
BLW96/01,112
Ampleon USA Inc.
BFQ18A,115
NXP USA Inc.
BFU590QX
NXP USA Inc.
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel