casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - RF / BFP 640FESD E6327
Número de pieza del fabricante | BFP 640FESD E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BFP 640FESD E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BFP 640FESD E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 4.7V |
Frecuencia - Transición | 46GHz |
Figura de ruido (dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Ganancia | 8B ~ 30.5dB |
Potencia - max | 200mW |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 50mA |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-TSFP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP 640FESD E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BFP 640FESD E6327-FT |
BFQ18A,115
NXP USA Inc.
BFU590QX
NXP USA Inc.
BFU580QX
NXP USA Inc.
BFQ149,115
NXP USA Inc.
BFQ19,115
NXP USA Inc.
BFQ540,115
NXP USA Inc.
BFQ591,115
NXP USA Inc.
2SC3357-A
CEL
2SC3357-T1-A
CEL
2SC4536-AZ
CEL
A1415A-PQG100C
Microsemi Corporation
A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP20K200CF672C7ES
Intel
5AGXMA7D4F27C4N
Intel
EP3SL150F1152C4
Intel
EP3SL200F1152C4N
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
LFE2-6SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation