casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / BDS2A60030RJ
Número de pieza del fabricante | BDS2A60030RJ |
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Número de parte futuro | FT-BDS2A60030RJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A60030RJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 30 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 600W |
Composición | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 140°C |
Caracteristicas | RF, High Frequency |
Revestimiento, tipo de vivienda | Epoxy Coated |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 2.559" L x 2.362" W (65.00mm x 60.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.417" (36.00mm) |
Estilo de plomo | M4 Threaded |
Paquete / Caja | Box |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A60030RJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BDS2A60030RJ-FT |
TGHPV1K00KE
Ohmite
TGHPV1R00KE
Ohmite
TGHPV250RKE
Ohmite
TGHPV27R0KE
Ohmite
TGHPV470RKE
Ohmite
TGHPV50R0KE
Ohmite
TGHPV5R00KE
Ohmite
TGHPV68R0KE
Ohmite
TGHPV750RKE
Ohmite
TGHPV7R50KE
Ohmite
A54SX32-TQG144M
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3SL70F484C3N
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
5AGXBA3D4F27C5N
Intel