casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / BDS2A250R47J
Número de pieza del fabricante | BDS2A250R47J |
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Número de parte futuro | FT-BDS2A250R47J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A250R47J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 470 mOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 250W |
Composición | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Caracteristicas | RF, High Frequency |
Revestimiento, tipo de vivienda | Epoxy Coated |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 2.638" L x 2.372" W (67.00mm x 60.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.417" (36.00mm) |
Estilo de plomo | M4 Threaded |
Paquete / Caja | Box |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A250R47J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BDS2A250R47J-FT |
TGHPV150RKE
Ohmite
TGHPV15R0KE
Ohmite
TGHPV1K00KE
Ohmite
TGHPV1R00KE
Ohmite
TGHPV250RKE
Ohmite
TGHPV27R0KE
Ohmite
TGHPV470RKE
Ohmite
TGHPV50R0KE
Ohmite
TGHPV5R00KE
Ohmite
TGHPV68R0KE
Ohmite
EP2C5T144C7N
Intel
A54SX32A-TQ144M
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX24-PQG208
Microsemi Corporation
M2GL050-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6VLX365T-L1FF1156I
Xilinx Inc.
A3P125-1FGG144
Microsemi Corporation
EP3SE80F780C4N
Intel