casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / BDS2A2501R5J
Número de pieza del fabricante | BDS2A2501R5J |
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Número de parte futuro | FT-BDS2A2501R5J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A2501R5J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1.5 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 250W |
Composición | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Caracteristicas | RF, High Frequency |
Revestimiento, tipo de vivienda | Epoxy Coated |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 2.638" L x 2.372" W (67.00mm x 60.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.417" (36.00mm) |
Estilo de plomo | M4 Threaded |
Paquete / Caja | Box |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A2501R5J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BDS2A2501R5J-FT |
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
TAP800K75RE
Ohmite
TAP800K7K5E
Ohmite
TAP800K7R5E
Ohmite
TGHPV100RKE
Ohmite
TGHPV10R0KE
Ohmite
TGHPV150RKE
Ohmite
TGHPV15R0KE
Ohmite
XC7A50T-2FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XC5VLX155-3FFG1760C
Xilinx Inc.
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I3SGES
Intel