casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / BDS2A25010RK
Número de pieza del fabricante | BDS2A25010RK |
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Número de parte futuro | FT-BDS2A25010RK |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A25010RK Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 Ohms |
Tolerancia | ±10% |
Potencia (vatios) | 250W |
Composición | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Caracteristicas | RF, High Frequency |
Revestimiento, tipo de vivienda | Epoxy Coated |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 2.638" L x 2.372" W (67.00mm x 60.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.417" (36.00mm) |
Estilo de plomo | M4 Threaded |
Paquete / Caja | Box |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A25010RK Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BDS2A25010RK-FT |
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
TAP800K75RE
Ohmite
TAP800K7K5E
Ohmite
TAP800K7R5E
Ohmite
TGHPV100RKE
Ohmite
XCV150-5FG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
AX1000-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP1C4F324C7N
Intel
EP2S130F1020I4
Intel