casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / BDS2A100250RJ
Número de pieza del fabricante | BDS2A100250RJ |
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Número de parte futuro | FT-BDS2A100250RJ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A100250RJ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 250 Ohms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 100W |
Composición | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Caracteristicas | RF, High Frequency |
Revestimiento, tipo de vivienda | Epoxy Coated |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 1.496" Dia x 1.004" L (38.00mm x 25.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.827" (21.00mm) |
Estilo de plomo | M4 Threaded |
Paquete / Caja | SOT-227-2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A100250RJ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BDS2A100250RJ-FT |
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
TAP800K75RE
Ohmite
ICE5LP4K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-5TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV300E-8FG456C
Xilinx Inc.
AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
10AX032H4F35E3LG
Intel
10M08SCE144C8G
Intel
XC4VFX40-11FFG672C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-2CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation