casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / BDS2A1001M0J
Número de pieza del fabricante | BDS2A1001M0J |
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Número de parte futuro | FT-BDS2A1001M0J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A1001M0J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 MOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 100W |
Composición | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Caracteristicas | RF, High Frequency |
Revestimiento, tipo de vivienda | Epoxy Coated |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 1.496" L x 1.004" W (38.00mm x 25.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.827" (21.00mm) |
Estilo de plomo | M4 Threaded |
Paquete / Caja | SOT-227-2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A1001M0J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BDS2A1001M0J-FT |
RSW-10-50
Riedon
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
XC6SLX45-2FG676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FG484
Microsemi Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200FC484-2XV
Intel
EP4CE10E22C7N
Intel
EP4SE820F43C3N
Intel
XC5VLX330T-2FF1738C
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C3N
Intel