casa / productos / Resistencias / Resistencias de montaje en chasis / BDS2A1001M0J
Número de pieza del fabricante | BDS2A1001M0J |
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Número de parte futuro | FT-BDS2A1001M0J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | BDS, CGS |
BDS2A1001M0J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 MOhms |
Tolerancia | ±5% |
Potencia (vatios) | 100W |
Composición | Thick Film |
Coeficiente de temperatura | ±150ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Caracteristicas | RF, High Frequency |
Revestimiento, tipo de vivienda | Epoxy Coated |
Característica de montaje | Flanges |
Tamaño / Dimensión | 1.496" L x 1.004" W (38.00mm x 25.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.827" (21.00mm) |
Estilo de plomo | M4 Threaded |
Paquete / Caja | SOT-227-2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BDS2A1001M0J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BDS2A1001M0J-FT |
RSW-10-50
Riedon
TAP800J100E
Ohmite
TAP800J10RE
Ohmite
TAP800J1K0E
Ohmite
TAP800J1R0E
Ohmite
TAP800J500E
Ohmite
TAP800J50RE
Ohmite
TAP800K25RE
Ohmite
TAP800K300E
Ohmite
TAP800K750E
Ohmite
LFXP2-5E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45T-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC3S500E-4FTG256C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP3C10U256C7
Intel
5SGXEA5N3F45C2L
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5CEFA2M13C6N
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EP3CLS70F780C7
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EP2C5Q208I8
Intel