casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / BD649-S
Número de pieza del fabricante | BD649-S |
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Número de parte futuro | FT-BD649-S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD649-S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 8A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 50mA, 5A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Potencia - max | 2W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD649-S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BD649-S-FT |
BC847CW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIF
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIX
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B3X
Nexperia USA Inc.
BC856W/ZLX
NXP USA Inc.
BC857B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC857BW/MIF
Nexperia USA Inc.
EP2C5T144I8
Intel
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-FG144
Microsemi Corporation
10CL025ZU256I8G
Intel
5SGXEA5N2F40I2L
Intel
EP4CGX30BF14C6N
Intel
5SGXEA4H3F35I3N
Intel
XC4VLX40-11FF1148C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
Intel