casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / BD649-S
Número de pieza del fabricante | BD649-S |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BD649-S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BD649-S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN - Darlington |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 8A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 100V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 50mA, 5A |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500µA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 3A, 3V |
Potencia - max | 2W |
Frecuencia - Transición | - |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BD649-S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BD649-S-FT |
BC847CW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIF
Nexperia USA Inc.
BC847CW/MIX
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC856B/DG/B3,235
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BC856BW/DG/B3X
Nexperia USA Inc.
BC856W/ZLX
NXP USA Inc.
BC857B/DG/B3,215
Nexperia USA Inc.
BC857BW/MIF
Nexperia USA Inc.
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010TS-1VFG400I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
EP1SGX25DF672I6
Intel
EP1S20F484I6N
Intel
10AX032E3F27I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXEABN2F45C3N
Intel
5SEEBH40I2N
Intel
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel