casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / BCR505E6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BCR505E6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BCR505E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR505E6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Potencia - max | 330mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR505E6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BCR505E6327HTSA1-FT |
FJN4313RBU
ON Semiconductor
FJN4314RBU
ON Semiconductor
FJNS3202RTA
ON Semiconductor
FJNS3203RBU
ON Semiconductor
FJNS3206RTA
ON Semiconductor
FJNS3215RBU
ON Semiconductor
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRN123ES,126
NXP USA Inc.
PBRN123YS,126
NXP USA Inc.
XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
Intel
EP4SE820H40C3N
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
10AX016E4F29I3SG
Intel