casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / BCR505E6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BCR505E6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BCR505E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR505E6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Potencia - max | 330mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR505E6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BCR505E6327HTSA1-FT |
FJN4313RBU
ON Semiconductor
FJN4314RBU
ON Semiconductor
FJNS3202RTA
ON Semiconductor
FJNS3203RBU
ON Semiconductor
FJNS3206RTA
ON Semiconductor
FJNS3215RBU
ON Semiconductor
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRN123ES,126
NXP USA Inc.
PBRN123YS,126
NXP USA Inc.
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
10CX150YF672E6G
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
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5SGXMA3K3F35I3N
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5SGXMA4K3F35I3
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XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5G
Intel