casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / BCR503E6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BCR503E6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BCR503E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR503E6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 2.2 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 50mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Potencia - max | 330mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR503E6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BCR503E6327HTSA1-FT |
FJN4312RBU
ON Semiconductor
FJN4313RBU
ON Semiconductor
FJN4314RBU
ON Semiconductor
FJNS3202RTA
ON Semiconductor
FJNS3203RBU
ON Semiconductor
FJNS3206RTA
ON Semiconductor
FJNS3215RBU
ON Semiconductor
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRN123ES,126
NXP USA Inc.
XC3S200-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-3CSG484C
Xilinx Inc.
M1A3P600-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K2F40I2LN
Intel
5SGXMA4K2F40I2N
Intel
XC6VLX130T-L1FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7N
Intel