casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / BCR135E6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BCR135E6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BCR135E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR135E6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 150MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR135E6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BCR135E6327HTSA1-FT |
FJN4311RBU
ON Semiconductor
FJN4312RBU
ON Semiconductor
FJN4313RBU
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FJN4314RBU
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FJNS3202RTA
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FJNS3203RBU
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FJNS3215RBU
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PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
XC7A35T-2CSG325I
Xilinx Inc.
10CX150YF672E6G
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5SGSMD5H2F35I3LN
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5SGXMA3K3F35I3N
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5SGXMA4K3F35I3
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XC2V4000-5FF1152I
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-8LMG328I
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LFE2-20E-5F484C
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LCMXO2-4000HE-4BG256C
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EP2AGX260FF35I5G
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