casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / BCR133E6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BCR133E6327HTSA1 |
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Número de parte futuro | FT-BCR133E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BCR133E6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Frecuencia - Transición | 130MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BCR133E6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BCR133E6327HTSA1-FT |
FJN4314RBU
ON Semiconductor
FJNS3202RTA
ON Semiconductor
FJNS3203RBU
ON Semiconductor
FJNS3206RTA
ON Semiconductor
FJNS3215RBU
ON Semiconductor
PBRN113ES,126
NXP USA Inc.
PBRN113ZS,126
NXP USA Inc.
PBRN123ES,126
NXP USA Inc.
PBRN123YS,126
NXP USA Inc.
PBRP113ES,126
NXP USA Inc.
XCS30XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
AT40K05AL-1DQI
Microchip Technology
EP3SE260H780C4LN
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10M50DAF672C6G
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XC5VLX110-1FF1760I
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XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
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LFX125EB-03FN256I
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LFE2-12SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2LN
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