casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / BC859CLT1G
Número de pieza del fabricante | BC859CLT1G |
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Número de parte futuro | FT-BC859CLT1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC859CLT1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 30V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Potencia - max | 300mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC859CLT1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BC859CLT1G-FT |
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EP2SGX90EF1152I4
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XC7K160T-2FBG484C
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XC4VLX15-12FFG676C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40E2SG
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10AX022E3F29I1HG
Intel