casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / BC857QASZ
Número de pieza del fabricante | BC857QASZ |
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Número de parte futuro | FT-BC857QASZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC857QASZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 PNP (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 45V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 2mA, 5V |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potencia - max | 350mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010B-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857QASZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BC857QASZ-FT |
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor
SSVBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65010MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65011MW6T1G
ON Semiconductor
SMBT3904DW1T1G
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SMUN5111DW1T1G
ON Semiconductor
BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor
NSVT45011MW6T3G
ON Semiconductor
SBC847CDW1T1G
ON Semiconductor
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PE600-PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-6BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
EP3C55U484C7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4006E-3PC84C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132I
Microsemi Corporation
EP3SE110F780I3
Intel