casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / BC857AW-G
Número de pieza del fabricante | BC857AW-G |
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Número de parte futuro | FT-BC857AW-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC857AW-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 45V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V |
Potencia - max | 150mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-70, SOT-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-323 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC857AW-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BC857AW-G-FT |
DXT2011P5Q-13
Diodes Incorporated
ZX3CD3S1M832TA
Diodes Incorporated
ZX3CDBS1M832TA
Diodes Incorporated
ZXTP720MATA
Diodes Incorporated
ZXTN617MATA
Diodes Incorporated
ZXTP718MATA
Diodes Incorporated
ZXTN620MATA
Diodes Incorporated
ZXTN619MATA
Diodes Incorporated
ZXTP26020DMFTA
Diodes Incorporated
ZXTN618MATA
Diodes Incorporated
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel