casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / BC847QASZ
Número de pieza del fabricante | BC847QASZ |
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Número de parte futuro | FT-BC847QASZ |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BC847QASZ Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 45V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 15nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potencia - max | 350mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-XFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | DFN1010B-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC847QASZ Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BC847QASZ-FT |
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor
SBC846BDW1T1G
ON Semiconductor
SSVBC846BPDW1T1G
ON Semiconductor
NST65011MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65010MW6T1G
ON Semiconductor
NSVT65011MW6T1G
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SMBT3904DW1T1G
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SMUN5111DW1T1G
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BC848CPDW1T1G
ON Semiconductor
NSVT45011MW6T3G
ON Semiconductor
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel