casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / BC637G
Número de pieza del fabricante | BC637G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BC637G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC637G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 1A |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA (ICBO) |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 2V |
Potencia - max | 625mW |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC637G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BC637G-FT |
2SC3311ARA
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A3P030-QNG68
Microsemi Corporation
XC2VP20-7FGG676C
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LFE2-12SE-5QN208C
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LFE2-20SE-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40C3
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5SGXEA5H2F35I2LN
Intel
EP3SL200F1152I3
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC7VX330T-2FF1761C
Xilinx Inc.
LFXP6E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation