casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / BC337_J35Z
Número de pieza del fabricante | BC337_J35Z |
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Número de parte futuro | FT-BC337_J35Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC337_J35Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 45V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V |
Potencia - max | 625mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC337_J35Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BC337_J35Z-FT |
BC237BTFR
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BC237BZL1
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A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
EP3C5U256C6N
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EP1K30FC256-1N
Intel
10M50DCF672C7G
Intel
XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
10AX048E2F29I1SG
Intel
EP4SGX70HF35C4N
Intel