casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solo / BC307B_J35Z
Número de pieza del fabricante | BC307B_J35Z |
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Número de parte futuro | FT-BC307B_J35Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC307B_J35Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 45V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 100mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 15nA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 2mA, 5V |
Potencia - max | 500mW |
Frecuencia - Transición | 130MHz |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC307B_J35Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BC307B_J35Z-FT |
2SA608NG-NPA-AT
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2SA733P_D26Z
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2SC3332R-AA
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BC182BRL1
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10CL025ZU256I8G
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5SGXEA4H3F35I3N
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XC4VLX40-11FF1148C
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XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQI208-2N
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