casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Capacitancia Variable (Varicaps, Varactor / BB837E6327HTSA1
Número de pieza del fabricante | BB837E6327HTSA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BB837E6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BB837E6327HTSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Capacitancia a Vr, F | 0.52pF @ 28V, 1MHz |
Relación de capacitancia | 12 |
Condición de la relación de capacitancia | C1/C25 |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 30V |
Tipo de diodo | Single |
Q @ Vr, F | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOD323-2 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BB837E6327HTSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BB837E6327HTSA1-FT |
BB189,315
NXP USA Inc.
BB198,115
NXP USA Inc.
BB199,115
NXP USA Inc.
BB208-03,115
NXP USA Inc.
BB170X
NXP USA Inc.
BB156,115
NXP USA Inc.
BB131,115
NXP USA Inc.
BB131,135
NXP USA Inc.
BB135,115
NXP USA Inc.
BB135,135
NXP USA Inc.
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FG676I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL68
Microsemi Corporation
AGLN060V5-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
EP4CE40F23C9L
Intel
EP4CE10F17C6
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
EP2AGX95EF29C6N
Intel