Número de pieza del fabricante | BAX16TR |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAX16TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAX16TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 150V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 650mV @ 1mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 120ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 150V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAX16TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAX16TR-FT |
BAT60AE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS140WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS1603WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT5403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS3010A03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS3010B03WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT60BE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS2103WE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAT 60B E6433
Infineon Technologies
BAS 16-02W E6327
Infineon Technologies
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel