Número de pieza del fabricante | BAW62 |
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Número de parte futuro | FT-BAW62 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW62 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 300mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW62 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAW62-FT |
BAT6402WH6327XTSA1
Infineon Technologies
IDV20E65D1XKSA1
Infineon Technologies
IDV30E65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV03S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV04S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV05S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV06S60CXKSA1
Infineon Technologies
IDV30E60C
Infineon Technologies
IDL02G65C5XUMA2
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel