casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BAW56-G
Número de pieza del fabricante | BAW56-G |
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Número de parte futuro | FT-BAW56-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 70V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 215mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 6ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAW56-G-FT |
SDM6CC-7
Diodes Incorporated
BAT54CDW-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HADW-7-F
Diodes Incorporated
BAS70JW-7-F
Diodes Incorporated
BAV70HDW-7
Diodes Incorporated
BAS70DW-06-7-F
Diodes Incorporated
BAV99DWQ-7-F
Diodes Incorporated
BAV199DW-7-F
Diodes Incorporated
BAS16TW-7-F
Diodes Incorporated
BAV756DW-7-F
Diodes Incorporated
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel