casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BAW56-7-F
Número de pieza del fabricante | BAW56-7-F |
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Número de parte futuro | FT-BAW56-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAW56-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 300mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2.5µA @ 75V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW56-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAW56-7-F-FT |
20CJQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT74,215
Nexperia USA Inc.
BAV23-7
Diodes Incorporated
DB4X313K0R
Panasonic Electronic Components
BAS28-7
Diodes Incorporated
BAS40-07,215
Nexperia USA Inc.
BAV23,215
Nexperia USA Inc.
BAS4007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS7007E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS28,215
Nexperia USA Inc.
XC2S50-5PQG208I
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-3N
Intel
EPF10K50SFC484-2X
Intel
10AX048H3F34I2LG
Intel
5SGXEB6R3F43I4N
Intel
EP3SE110F1152I3
Intel
XCV200-4BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FFG672C
Xilinx Inc.
10AX115H3F34I2LG
Intel