casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAW27-TAP
Número de pieza del fabricante | BAW27-TAP |
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Número de parte futuro | FT-BAW27-TAP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAW27-TAP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 600mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 400mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 6ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AH, DO-35, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-35 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAW27-TAP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAW27-TAP-FT |
BYM07-300-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34K-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL34D-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM07-200/32
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL34B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation