casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BAV99E6327
Número de pieza del fabricante | BAV99E6327 |
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Número de parte futuro | FT-BAV99E6327 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV99E6327 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Configuración de diodo | 1 Pair Series Connection |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 150nA @ 70V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV99E6327 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAV99E6327-FT |
1SS379,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS396,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
BAS21S-TP
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BAT54A-TP
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BAV74
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MMBD1404
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MMBD1504-TP
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MMBD1505-TP
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XC2S30-6PQ208C
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A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F40C4N
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XC5VLX155T-3FFG1738C
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XC7VX690T-2FFG1927C
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XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
10AX115N3F45I2SGES
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EP2AGX45DF29C4
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