casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAV21W-G RHG
Número de pieza del fabricante | BAV21W-G RHG |
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Número de parte futuro | FT-BAV21W-G RHG |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAV21W-G RHG Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV21W-G RHG Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAV21W-G RHG-FT |
SS115HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15HR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19HM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel