casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAV19W-E3-08
Número de pieza del fabricante | BAV19W-E3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BAV19W-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV19W-E3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV19W-E3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAV19W-E3-08-FT |
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2035S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel