casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAV101-GS18
Número de pieza del fabricante | BAV101-GS18 |
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Número de parte futuro | FT-BAV101-GS18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAV101-GS18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 100mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-80 MiniMELF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 175°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV101-GS18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAV101-GS18-FT |
HFA08PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25PB60
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA30PB120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF12FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETS12FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-10ETF10FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
10ETF04FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel