casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAT54W-G3-08
Número de pieza del fabricante | BAT54W-G3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BAT54W-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT54W-G3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 800mV @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 5ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54W-G3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT54W-G3-08-FT |
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel