casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAT54W-G3-08
Número de pieza del fabricante | BAT54W-G3-08 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAT54W-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAT54W-G3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 800mV @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 5ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54W-G3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAT54W-G3-08-FT |
V30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100S-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ATS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20ETS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
10M50DCF484C8G
Intel
5SGSMD5K2F40C3
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
LFXP2-40E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1X
Intel