Número de pieza del fabricante | BAS70-G |
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Número de parte futuro | FT-BAS70-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS70-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 70V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 70mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 15mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 2ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS70-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS70-G-FT |
B330A-13
Diodes Incorporated
B340A-13
Diodes Incorporated
B350A-13
Diodes Incorporated
B360A-13
Diodes Incorporated
ES1B-13
Diodes Incorporated
ES1C-13
Diodes Incorporated
ES2AA-13
Diodes Incorporated
ES2BA-13
Diodes Incorporated
ES2CA-13
Diodes Incorporated
ES2DA-13
Diodes Incorporated
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel