casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS516,H3F
Número de pieza del fabricante | BAS516,H3F |
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Número de parte futuro | FT-BAS516,H3F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS516,H3F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 3ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200nA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-79, SOD-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | ESC |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS516,H3F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS516,H3F-FT |
56DN06ELEMPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMXPSA1
Infineon Technologies
5817SMG/TR13
Microsemi Corporation
5817SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5818SMG/TR13
Microsemi Corporation
5818SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5819SMG/TR13
Microsemi Corporation
5819SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5822SMG/TR13
Microsemi Corporation
62-0209PBF
Infineon Technologies
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel