Número de pieza del fabricante | BAS416Z |
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Número de parte futuro | FT-BAS416Z |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS416Z Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 3µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS416Z Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS416Z-FT |
BYD77D,115
NXP USA Inc.
PRLL4001,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,135
NXP USA Inc.
PRLL5818,115
NXP USA Inc.
PRLL5819,115
NXP USA Inc.
BYV29B-500,118
WeEn Semiconductors
BYC10B-600,118
WeEn Semiconductors
BYC5B-600,118
WeEn Semiconductors
BYC8B-600,118
WeEn Semiconductors
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel