casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS416,115
Número de pieza del fabricante | BAS416,115 |
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Número de parte futuro | FT-BAS416,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS416,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 75V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 3µs |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5nA @ 75V |
Capacitancia a Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-76, SOD-323 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-323 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS416,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS416,115-FT |
BYD37M,115
NXP USA Inc.
BYD77B,115
NXP USA Inc.
BYD77D,115
NXP USA Inc.
PRLL4001,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,115
NXP USA Inc.
PRLL5817,135
NXP USA Inc.
PRLL5818,115
NXP USA Inc.
PRLL5819,115
NXP USA Inc.
BYV29B-500,118
WeEn Semiconductors
BYC10B-600,118
WeEn Semiconductors
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel