casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BAS35,215
Número de pieza del fabricante | BAS35,215 |
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Número de parte futuro | FT-BAS35,215 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS35,215 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 250mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 200mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 90V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS35,215 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS35,215-FT |
BAV70S,135
Nexperia USA Inc.
BAV99S,135
Nexperia USA Inc.
BAS16VY,115
Nexperia USA Inc.
BAV756S,115
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,165
Nexperia USA Inc.
BAS70XY,115
Nexperia USA Inc.
BAT54XYH
Nexperia USA Inc.
1PS88SB82,115
Nexperia USA Inc.
BAS70-07S,115
Nexperia USA Inc.
BAS40XY,115
Nexperia USA Inc.
EP20K160ETC144-1X
Intel
XC6SLX45-L1FGG484C
Xilinx Inc.
AGLN250V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
EPF10K100EFC484-1N
Intel
EPF10K30AFC484-3
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel
EPF10K50VBC356-4N
Intel