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Toshiba Semiconductor and Storage BAS316,H3F

Número de pieza de MFG
BAS316,H3F
Cantidad disponible
24300 Piezas
Precio de referencia
USD 0.02448
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Fecha de envío
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
- DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Diodos - Rectificadores - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-BAS316,H3F
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
BAS316,H3F Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) 100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) 250mA
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.25V @ 150mA
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) 3ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr 200nA @ 80V
Capacitancia a Vr, F 0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja SC-76, SOD-323
Paquete del dispositivo del proveedor USC
Temperatura de funcionamiento - Unión 150°C (Max)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BAS316,H3F Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto BAS316,H3F-FT

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