casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS316/DG/B3,135
Número de pieza del fabricante | BAS316/DG/B3,135 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAS316/DG/B3,135 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS316/DG/B3,135 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS316/DG/B3,135 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS316/DG/B3,135-FT |
301U140G R BL
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR100G BK G
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR140G BK BL
Vishay Semiconductor Opto Division
38DN68S02ELEMXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMEVMITPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMXPSA1
Infineon Technologies
5817SMG/TR13
Microsemi Corporation
5817SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
5818SMG/TR13
Microsemi Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel