casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS316/DG/B3,115
Número de pieza del fabricante | BAS316/DG/B3,115 |
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Número de parte futuro | FT-BAS316/DG/B3,115 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, BAS16 |
BAS316/DG/B3,115 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 250mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 150mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 500nA @ 80V |
Capacitancia a Vr, F | 1.5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-236AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS316/DG/B3,115 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS316/DG/B3,115-FT |
301U100G R G
Vishay Semiconductor Opto Division
301U140G R BL
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR100G BK G
Vishay Semiconductor Opto Division
301UR140G BK BL
Vishay Semiconductor Opto Division
38DN68S02ELEMXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMEVMITPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMPRXPSA1
Infineon Technologies
56DN06ELEMXPSA1
Infineon Technologies
5817SMG/TR13
Microsemi Corporation
5817SMGE3/TR13
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel