casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / BAS28E6359HTMA1
Número de pieza del fabricante | BAS28E6359HTMA1 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-BAS28E6359HTMA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BAS28E6359HTMA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Configuración de diodo | 2 Independent |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 80V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 100mA (DC) |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.2V @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 4ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 75V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-253-4, TO-253AA |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-SOT143-4 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS28E6359HTMA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS28E6359HTMA1-FT |
SBRF1545CT
SMC Diode Solutions
VS-VSHD320CW40
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR12080CT
GeneSiC Semiconductor
MBR12080CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200100CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200100CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR200200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR200200CTR
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel