casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BAS21-G3-08
Número de pieza del fabricante | BAS21-G3-08 |
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Número de parte futuro | FT-BAS21-G3-08 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS21-G3-08 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.25V @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100nA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS21-G3-08 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BAS21-G3-08-FT |
VS-45EPF06LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPF12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-65EPS16LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PH3012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-EPU6006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-45EPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5PH6012L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel